중국 창신메모리의 무서운 추격, 무슨 일이 일어나고 있나요?
범용 D램 시장을 찌르고 5세대 양산까지 선언한 중국 반도체의 속내를 짚어봅니다.
- 21시간 전창신메모리가 349억 위안 규모의 투자를 진행하고 LPDDR6 양산 및 LPDDR5X의 스마트폰 적용 등 모바일용 고속 D램 시장 포트폴리오 확대에 나섰다는 보도가 나왔어요.
- 1일 전창신메모리가 메모리 반도체 호황에 힘입어 범용 D램 생산능력 확대에 속도를 내며 글로벌 주요 경쟁자로 입지를 넓히고 있다는 보도가 나왔어요.
- 2일 전창신메모리의 전 경영진이 한국인 기술진에게 삼성 기술 탈취를 강요했다는 법정 진술이 나왔다는 보도가 전해졌어요.
무슨 일이 있었나
중국의 대표 D램 메모리 반도체 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 5세대 D램 기술 플랫폼 양산을 공식 선언했다고 해요. 회로 간격을 12나노미터 수준까지 줄인 신제품을 선보이며 글로벌 최첨단 공정에 바짝 다가섰다는 평가가 보도되었습니다.
한편 이러한 고속 성장의 그늘에는 한국의 국가핵심기술 유출 혐의도 얽혀 있는 것으로 알려졌어요. 삼성전자의 기술을 창신메모리로 빼돌린 혐의로 재판에 넘겨진 전직 임직원이 법정에서 사과하고, 전 최고경영자의 기술 탈취 지시 정황이 증언되는 등 수사 및 재판 파장이 이어지고 있다는 소식입니다.
왜 이런 일이 생겼나
창신메모리가 이처럼 빠르게 점유율을 올릴 수 있었던 배경에는 범용 반도체 시장의 빈틈을 공략한 전략이 있었다는 분석이 나와요. 삼성전자와 SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)나 최첨단 D램 같은 고부가가치 제품에 생산 역량을 집중한 사이에, 창신메모리가 스마트폰이나 PC용 범용 D램 공급을 빠르게 늘리며 시장 점유율을 10% 가까이 끌어올렸다는 것입니다.
중국 정부의 자급자족 지원도 성장 동력이 되었다는 지적이 많아요. 미국의 강도 높은 제재 속에서도 막대한 자금을 투입받아 생산 설비를 크게 확장하고 연구개발에 속도를 냈다고 합니다.
하지만 성장의 이면에 기술 불법 유출이 작동했다는 의혹도 거세지고 있어요. 국내 반도체 핵심 기술진을 스카우트해 기술을 확보하는 과정에서 국가핵심기술을 유출한 혐의가 제기되어 법정 공방이 계속되고 있다는 보도가 전해졌습니다.
외신 및 관련 뉴스 보도를 바탕으로 작성된 정보성 글입니다.